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Datasheet > 存储 > DRAM> M52D128168A-10TIG
M52D128168A-10TIG PDF预览

M52D128168A-10TIG

更新时间： 2024-11-28 05:46:55
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
47页 1134K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M52D128168A-10TIG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.43
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：9 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G54长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M52D128168A-10TIG 数据手册

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ESMT  
M52D128168A  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
Mobile SDRAM  
2M x 16 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
ORDERING INFORMATION  
y
y
y
y
1.8V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Four banks operation  
MRS cycle with address key programs  
- CAS Latency (2 & 3)  
- Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
- Burst Type (Sequential & Interleave)  
EMRS cycle with address  
MAX  
PRODUCT NO.  
PACKAGE Comments  
FREQ.  
M52D128168A-7.5TIG  
M52D128168A-7.5BIG  
M52D128168A-10TIG  
M52D128168A-10BIG  
133MHz  
54 TSOP II  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
133MHz 54 Ball FBGA  
100MHz 54 TSOP II  
100MHz 54 Ball FBGA  
y
y
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
Special function support  
y
-
-
-
PASR (Partial Array Self Refresh)  
TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)  
DS (Driver Strength)  
y
y
y
DQM for masking  
Auto & self refresh  
64ms refresh period (4K cycle)  
GENERAL DESCRIPTION  
The M52D128168A is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words  
by 16 bits. Synchronous design allows precise cycle controls with the use of system clock I/O transactions are possible on  
every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same  
device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.  
PIN ASSIGNMENT (Top View)  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
54  
53 DQ15  
52 VSSQ  
VSS  
VSSQ  
VDDQ  
DQ0  
VDD  
A
B
C
D
E
F
VSS  
DQ15  
VDDQ  
VSSQ  
VSSQ  
VDDQ  
DQ2  
DQ4  
DQ1  
DQ3  
DQ14  
DQ12  
DQ13  
DQ11  
51 DQ14  
50 DQ13  
49  
48  
VDDQ  
DQ12  
47 DQ11  
46 VSSQ  
VSSQ  
VDD  
DQ6  
DQ10  
DQ8  
DQ9  
NC  
VDDQ  
VSS  
CKE  
A9  
DQ5  
DQ7  
45 DQ10  
44 DQ9  
DQ5 10  
DQ6 11  
LDQM  
43  
42 DQ8  
41 VSS  
VDDQ  
VSSQ  
DQ7 13  
VDD 14  
12  
UDQM  
NC  
CLK  
A11  
CAS  
BA0  
RAS  
BA1  
WE  
CS  
LDQM 15  
WE 16  
40 NC  
G
H
J
39 UDQM  
38 CLK  
37 CKE  
36 NC  
CAS 17  
RAS 18  
CS 19  
A8  
A0  
A3  
A10  
A7  
A5  
A6  
A4  
A1  
A2  
54 Ball FBGA  
(8x8mm)  
(mm ball pitch)  
VSS  
VDD  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
A11  
A9  
BA0 20  
BA1 21  
A10/AP 22  
A8  
A0  
A1  
23  
24  
25  
26  
27  
A7  
A6  
A2  
A5  
A4  
A3  
VDD  
VSS  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Sep. 2008  
Revision: 1.0 1/47  
1234567...47

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M52D128168A-5BIG2E ESMT

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