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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.7 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M52D128168A-10TIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-5BIG2E | ESMT |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA54, FBGA-54 |
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| M52D128168A-6BG2E | ESMT |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
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| M52D128168A-6BIG2E | ESMT |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA54, FBGA-54 |
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| M52D128168A-7.5BG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7.5BIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7.5TG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7.5TIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7BG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7BG2E | ESMT |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
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