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Datasheet > 存储 > 闪存> M50FLW080ANB5G
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M50FLW080ANB5G

更新时间： 2024-09-14 22:31:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
53页 945K
描述
8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory

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M50FLW080ANB5G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.76Is Samacsys：N
最长访问时间：11 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3/e6长度：12.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：48,13端子数量：32
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-20 °C组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M50FLW080ANB5G 数据手册

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M50FLW080A  
M50FLW080B  
8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors)  
3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
FLASH MEMORY  
Figure 1. Packages  
–
Compatible with either the LPC interface  
or the FWH interface (Intel Spec rev1.1)  
used in PC BIOS applications  
–
–
–
5 Signal Communication Interface  
supporting Read and Write Operations  
5 Additional General Purpose Inputs for  
platform design flexibility  
Synchronized with 33MHz PCI clock  
PLCC32 (K)  
■
16 BLOCKS OF 64 KBYTES  
–
–
13 blocks of 64 KBytes each  
3 blocks, subdivided into 16 uniform  
sectors of 4 KBytes each  
Two blocks at the top and one at the  
bottom (M50FLW080A)  
One block at the top and two at the bottom  
(M50FLW080B)  
■
ENHANCED SECURITY  
–
–
–
Hardware Write Protect Pins for Block  
Protection  
Register-based Read and Write  
Protection  
Individual Lock Register for Each 4 KByte  
Sector  
TSOP32 (NB)  
8 x 14mm  
■
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
VCC = 3.0 to 3.6V for Program, Erase and  
Read Operations  
–
VPP = 12V for Fast Program and Erase  
TWO INTERFACES  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
–
Auto Detection of Firmware Hub (FWH) or  
Low Pin Count (LPC) Memory Cycles for  
Embedded Operation with PC Chipsets  
–
Address/Address Multiplexed (A/A Mux)  
Interface for programming equipment  
compatibility.  
■
■
PROGRAM/ERASE SUSPEND  
–
Read other Blocks/Sectors during  
Program Suspend  
■
■
PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
–
–
–
Program other Blocks/Sectors during  
Erase Suspend  
Embedded Program and Erase algorithms  
Status Register Bits  
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code (M50FLW080A): 80h  
Device Code (M50FLW080B): 81h  
June 2005  
1/53  
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M50FLW080ANB5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M50FW080NB5G STMICROELECTRONICS

类似代替

 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory
M50FW080NB5TG STMICROELECTRONICS

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M50FLW080ANB5P STMICROELECTRONICS

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M50FLW080ANB5T STMICROELECTRONICS

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M50FLW080B STMICROELECTRONICS

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M50FLW080BK5 STMICROELECTRONICS

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