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Datasheet > 存储 > 闪存> M50FLW040ANB5G
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M50FLW040ANB5G

更新时间： 2024-11-26 04:18:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
64页 536K
描述
4-Mbit (5 】 64 Kbyte blocks + 3 】 16 】 4 Kbyte sectors) 3-V supply Firmware Hub / low-pin count Flash memory

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M50FLW040ANB5G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.74Is Samacsys：N
最长访问时间：11 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3/e6长度：12.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：8端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-20 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M50FLW040ANB5G 数据手册

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M50FLW040A  
M50FLW040B  
4-Mbit (5 × 64 Kbyte blocks + 3 × 16 × 4 Kbyte sectors)  
3-V supply Firmware Hub / low-pin count Flash memory  
Feature summary  
■ Flash memory  
– Compatible with either the LPC interface or  
the FWH interface (Intel Spec rev1.1) used  
in PC BIOS applications  
PLCC32 (K)  
– 5 Signal Communication Interface  
supporting Read and Write Operations  
– 5 Additional General Purpose Inputs for  
platform design flexibility  
– Synchronized with 33MHz PCI clock  
■ 8 blocks of 64 Kbytes  
– 5 blocks of 64 KBytes each  
– 3 blocks, subdivided into 16 uniform  
sectors of 4 KBytes each  
TSOP32 (NB)  
8 x 14mm  
Two blocks at the top and one at the bottom  
(M50FLW040A)  
One block at the top and two at the bottom  
(M50FLW040B)  
■ Enhanced security  
– Hardware Write Protect Pins for Block  
Protection  
TSOP40 (N)  
10 x 20mm  
– Register-based Read and Write Protection  
■ Supply voltage  
■ Program/Erase Suspend  
– V = 3 to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
– Read other Blocks/Sectors during Program  
Suspend  
Read Operations  
– V = 12V for Fast Program and Erase  
PP  
– Program other Blocks/Sectors during Erase  
Suspend  
■ Two interfaces  
– Auto Detection of Firmware Hub (FWH) or  
Low Pin Count (LPC) Memory Cycles for  
Embedded Operation with PC Chipsets  
■ Electronic signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code (M50FLW040A): 08h  
– Device Code (M50FLW040B): 28h  
– Address/Address Multiplexed (A/A Mux)  
Interface for programming equipment  
compatibility.  
■ Packages  
■ Programming time: 10 µs typical  
– ECOPACK® (RoHS compliant)  
■ Program/Erase Controller  
– Embedded Program and Erase algorithms  
– Status Register Bits  
October 2006  
Rev 6  
1/64  
www.st.com  
1
1234567...64

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与M50FLW040ANB5G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M50FLW040ANB5P STMICROELECTRONICS

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 		4-Mbit (5 】 64 Kbyte blocks + 3 】 16 】 4 Kbyt
M50FLW040ANB5T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (5 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Cou
M50FLW040ANB5TG STMICROELECTRONICS

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 		4-Mbit (5 】 64 Kbyte blocks + 3 】 16 】 4 Kbyt
M50FLW040ANB5TP STMICROELECTRONICS

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 		4-Mbit (5 】 64 Kbyte blocks + 3 】 16 】 4 Kbyt
M50FLW040B STMICROELECTRONICS

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 		4-Mbit (5 】 64 Kbyte blocks + 3 】 16 】 4 Kbyt
M50FLW040BK1 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (5 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Cou
M50FLW040BK1G STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (5 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Cou
M50FLW040BK1P STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (5 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Cou
M50FLW040BK1T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (5 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors) 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Cou
M50FLW040BK1TG STMICROELECTRONICS

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