M505061F

更新时间： 2024-11-24 05:46:51

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快达 - CRYDOM		栅极触发装置可控硅整流器电源电路
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4页	732K
描述
Power Modules

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M505061F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	配置：	BRIDGE, HALF-CONTROLLED
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G	螺丝端子的描述：	2AK-CA-CK
通态非重复峰值电流：	600 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	Base Number Matches：	1

M505061F 数据手册

M50 Series

•

Over 40KW output Capability

8 Different Circuits to Choose from

• 50 and 100A outputs

AVAILABLE OPTIONS

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Description

Maximum DC Output Current (Tc = 85°C)

Symbol

I_D

M5050

50 A

M50100

100 A

Maximum Voltage Drop @ Amps Peak

1.7V @ 50A

-40 - 125°C

100A/µs

1.4V @ 100A

-40 - 125°C

100A/µs

V_F

Operating Junction Temperature Range

T_J

Critical Rate of Rise of On-State Current @ TJ=125°C

Critical Rate of Rise of Off-State Voltage [V/µs]

Repetitive Peak Reverse Voltage (AC Line Nominal) [Vpk]

di/dt

dv/dt

V_RRM

500V/µs

400 (120 VAC)

600 (240 VAC)

800 (280 VAC)

1200 (480 VAC)

Maximum Non-Repetitive Surge Current (1/2 Cycle, 60 Hz) [A]

Maximum I²T for Fusing (t=8.3ms) [A²sec]

600

1500

150

1500

9350

150

I_TSM

I²T

Maximum Required Gate Current to Trigger @ 25°C [mA]

Maximum Required Gate Voltage to Trigger @ 25°C [V]

Average Gate Power [W]

I_GT

3.0

V_GT

0.5

P_G(AV)

V_GM

R_JC

Maximum Peak Reverse Gate Voltage [V]

5.0

Maximum Thermal Resistance, Junction to Ceramic Base per Chip [°C/W]

Isolation Voltage [Vrms]

0.7°C/W

2500

0.36°C/W

2500

V_ISOL

GENERAL SPECIFICATIONS

Description

Weight (typical)

3.75 oz (106g)

12 3 4

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