是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | MODULE | 包装说明: | DIMM, DIMM144,32 |
针数: | 144 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.32 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 1.68 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M466S1723AT2-L10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
M466S1723AT3-C10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
M466S1723AT3-L10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
M466S1723BT2-C10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.150 INCH HEIGHT, SODIMM-144 | |
M466S1723BT2-L10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.150 INCH HEIGHT, SODIMM-144 | |
M466S1723BT3-L10 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, 1.050 INCH HEIGHT, SODIMM-144 | |
M466S1723CT2-C1L | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 | |
M466S1723CT2-L1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 | |
M466S1723CT3-C1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 | |
M466S1723CT3-L1L | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144 |