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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | VSON, SOLCC8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.51 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 33 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-N8 | 长度： | 6 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | VSON | 封装等效代码： | SOLCC8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 25 ms | 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M45PE40-VMP6TP | NUMONYX |
获取价格 |
4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz |
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| M45PE40-VMP6TP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz |
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| M45PE40-VMW6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz |
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| M45PE40-VMW6G | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz |
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| M45PE40-VMW6G | NUMONYX |
获取价格 |
4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz |
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| M45PE40-VMW6G | MICRON |
获取价格 |
4Mb, Page-Erasable, Serial NOR Flash Memory with Byte Alterability, 75 MHz Serial Peripher |
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| M45PE40-VMW6P | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz |
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| M45PE40-VMW6P | NUMONYX |
获取价格 |
4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz |
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| M45PE40-VMW6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 33 MHz |
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| M45PE40-VMW6TG | NUMONYX |
获取价格 |
4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz |
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