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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M39P0R9070E2ZADE
M39P0R9070E2ZADE PDF预览

M39P0R9070E2ZADE

更新时间： 2024-09-17 03:32:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 479K
描述
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package

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M39P0R9070E2ZADE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA105,9X12,32针数：105
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.67最长访问时间：96 ns
其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B105
长度：11 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
混合内存类型：FLASH+SDRAM功能数量：1
端子数量：105字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA105,9X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
子类别：Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

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M39P0R8070E2  
M39P0R9070E2  
256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory  
128 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package  
Feature summary  
■ Multi-Chip Package  
– 1 die of 256 (16Mb x 16) or 512 Mbit (32Mb  
FBGA  
x 16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst)  
Flash memory  
– 1 die of 128 Mbit (4 Banks of 2Mb x16) Low  
Power Synchronous Dynamic RAM  
TFBGA105 (ZAD)  
9 x 11mm  
■ Supply voltage  
– V  
– V  
= V  
= V  
= 1.7 to 1.95V  
DDQ  
DDF  
PPF  
DDS  
= 9V for fast program  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Electronic signature  
■ Security  
– Manufacturer Code: 20h  
– 256 Mbit Device Code: 8818  
– 512 Mbit Device Code: 8819  
– 64-bit unique device number  
– 2112-bit user programmable OTP Cells  
■ Block locking  
■ Package  
– All Blocks locked at power-up  
– Any combination of Blocks can be locked  
with zero latency  
– ECOPACK® (RoHS compliant)  
Flash memory  
– WP for Block Lock-Down  
– Absolute Write Protection with V  
F
■ Synchronous / Asynchronous Read  
= V  
SS  
PPF  
– Synchronous Burst Read mode:  
108MHz, 66MHz  
■ Common Flash Interface (CFI)  
– Asynchronous Page Read mode  
– Random Access: 96ns  
LPSDRAM  
■ 128 Mbit Synchronous Dynamic RAM  
■ Programming time  
– Organized as 4 Banks of 2 MWords, each  
16 bits wide  
– 4.2µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
■ Synchronous Burst Read and Write  
– Fixed burst lengths: 1, 2, 4, 8 Words or Full  
Page  
■ Memory organization  
– Burst Types: Sequential and Interleaved  
– Maximum Clock frequency: 104MHz  
– Multiple Bank memory array: 32 Mbit  
Banks (256Mb devices); 64 Mbit Banks  
(512Mb devices)  
■ Automatic and controlled Precharge  
– Four Extended Flash Array (EFA) Blocks of  
64 Kbits  
■ Low power features:  
– Partial Array Self Refresh (PASR)  
– Automatic Temperature Compensated Self  
Refresh (TCSR)  
■ Dual operations  
– program/erase in one Bank while read in  
others  
– Driver Strength (DS)  
– No delay between read and write  
operations  
– Deep Power-Down Mode  
■ Auto Refresh and Self Refresh  
November 2007  
Rev 2  
1/24  
www.numonyx.com  
1
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与M39P0R9070E2ZADE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M39P0R9070E2ZADF NUMONYX

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 		256 or 512Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 128 Mbit Low Power SD
M39P0R9080E0 NUMONYX

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 		512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1
M39P0R9080E0ZAD NUMONYX

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 		512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1
M39P0R9080E0ZADE NUMONYX

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 		512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1
M39P0R9080E0ZADF NUMONYX

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 		512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1
M39P0R9080E4 NUMONYX

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