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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.56 | Is Samacsys： | N |
| 系列： | S | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| 长度： | 19.56 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.0004 A |
| 功能数量： | 2 | 输入次数： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 9 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 9 ns | 传播延迟（tpd）： | 9 ns |
| 认证状态： | Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | MIL-M-38510 Class B | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gate | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.67 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JM38510/07006BCA | TI |
完全替代  |
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND GATES |
|
| SN74S20N3 | TI |
功能相似 |
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND GATES |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M38510/07006BCB | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006BCC | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006BCX | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006BDA | TI |
获取价格 |
军用 2 通道、4 输入、4.5V 至 5.5V 双极与非门 | W | 14 | -55 |
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| M38510/07006BDB | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006BDC | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006BDX | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006CAA | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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| M38510/07006CAB | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
|
| M38510/07006CAC | ETC |
获取价格 |
Dual 4-input NAND Gate |
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