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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM168 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 50 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDMA-N168 | 内存密度： | 603979776 bit |
| 内存宽度： | 72 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX72 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM168 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.9 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M372E0883BJ0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M372E0883BJ0-C6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168 |
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| M372E0883BJ0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M372E0883BT0-C5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168 |
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| M372E0883BT0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M372E0883BT0-C6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168 |
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| M372E0883BT0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M372E0883CJ0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M372E0883CT0-C50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 |
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| M372E0883CT0-C60 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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