5秒后页面跳转
M372E0803BJ0-C50 PDF预览

M372E0803BJ0-C50

更新时间: 2024-09-24 20:41:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 472K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

M372E0803BJ0-C50 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:,针数:168
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:603979776 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX72
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M372E0803BJ0-C50 数据手册

 浏览型号M372E0803BJ0-C50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M372E0803BJ0-C50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M372E0803BJ0-C50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M372E0803BJ0-C50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M372E0803BJ0-C50的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M372E0803BJ0-C50的Datasheet PDF文件第7页 
DRAM MODULE  
M372E080(8)3BJ(T)0-C  
Buffered 8Mx72 DIMM  
(8Mx8 base)  
Revision 0.1  
June 1998  

与M372E0803BJ0-C50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M372E0803BJ0-C60 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372E0803BT0-C5 SAMSUNG

获取价格

Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
M372E0803BT0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372E0803BT0-C6 SAMSUNG

获取价格

Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
M372E0803BT0-C60 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372E0803CJ0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372E0803CJ0-C60 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
M372E0803CT0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
M372E0883BJ0-C5 SAMSUNG

获取价格

Memory IC, 8MX72, CMOS, PDMA168
M372E0883BJ0-C50 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168