Datasheet > M36W432B70ZA1T

M36W432B70ZA1T

更新时间： 2024-11-20 20:21:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	418K
描述
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M36W432B70ZA1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B66
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M36W432B70ZA1T 数据手册

M36W432T

M36W432B

32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory

and 4 Mbit (256K x16) SRAM, Multiple Memory Product

PRODUCT PREVIEW

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

SRAM

■ 4 Mbit (256K x 16 bit)

■ ACCESS TIME: 70ns

– V

= 2.7V to 3.3V

DDF

DDS

PPF

= V

= 2.7V to 3.3V

DDQF

■ LOW V

DATA RETENTION: 1.5V

DDS

= 12V for Fast Program (optional)

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

■ ACCESS TIME: 70,85ns

CHIP ENABLE INPUTS

■ LOW POWER CONSUMPTION

■ ELECTRONIC SIGNATURE

Figure 1. Packages

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M36W432T: 88BAh

– Bottom Device Code, M36W432B: 88BBh

FLASH MEMORY

■ 32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK

FBGA

– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or

Bottom Location)

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs typical

Stacked LFBGA66 (ZA)

8 x 8 ball array

– Double Word Programming Option

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WPF for Block Lock-Down

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ SECURITY

– 64 bit user programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

– One parameter block permanently lockable

February 2002

1/57

This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...57

中文翻译

下载PDF

与M36W432B70ZA1T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36W432B70ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M36W432B70ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B70ZA6T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W432B85ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,MIXED MEMORY,FLASH+SRAM,CMOS,BGA,66PIN,PLASTIC
M36W432B85ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B85ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M36W432B85ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432BG	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W432BG70ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W432BG70ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc

与M36W432B70ZA1T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M36W432B70ZA1T

M36W432B70ZA1T 技术参数

M36W432B70ZA1T 数据手册

与M36W432B70ZA1T相关器件

与M36W432B70ZA1T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M36W432B70ZA1T

M36W432B70ZA1T 技术参数

M36W432B70ZA1T 数据手册

与M36W432B70ZA1T相关器件

与M36W432B70ZA1T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？