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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> M36W416TG85ZA6T
M36W416TG85ZA6T PDF预览

M36W416TG85ZA6T

更新时间： 2024-11-19 22:51:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
62页 435K
描述
16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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M36W416TG85ZA6T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
针数：66Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.06
Is Samacsys：N最长访问时间：85 ns
其他特性：STATIC RAM ORGANISED AS 256K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B66
JESD-609代码：e1长度：12 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+SRAM
功能数量：1端子数量：66
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA66,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大待机电流：0.00001 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W416TG85ZA6T 数据手册

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M36W416TG  
M36W416BG  
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
SRAM  
■ 4 Mbit (256Kb x 16)  
– 16 Mbit (1Mb x 16) Boot Block Flash Memory  
– 4 Mbit (256Kb x 16) SRAM  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ SUPPLY VOLTAGE  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
– V  
– V  
– V  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDQF  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDS  
= 12V for Fast Program (optional)  
PPF  
Figure 1. Packages  
■ ACCESS TIME: 70ns, 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W416TG: 88CEh  
– Bottom Device Code, M36W416BG: 88CFh  
FBGA  
FLASH MEMORY  
■ MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8mm  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
F
■ AUTOMATIC STAND-BY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ SECURITY  
– 64 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
– One parameter block permanently lockable  
November 2002  
1/62  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...62

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与M36W416TG85ZA6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W416TGZA STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
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 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+SRAM,CMOS,BGA,66PIN,PLASTIC
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 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B70ZA1T NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W432B70ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M36W432B70ZA6T STMICROELECTRONICS

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