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M36W416TG85ZA6T

更新时间： 2024-11-24 21:03:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 435K
描述
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66

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M36W416TG85ZA6T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：66
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.06Is Samacsys：N
其他特性：STATIC RAM ORGANISED AS 256K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B66
长度：12 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：66
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W416TG85ZA6T 数据手册

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M36W416TG  
M36W416BG  
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
SRAM  
■ 4 Mbit (256Kb x 16)  
– 16 Mbit (1Mb x 16) Boot Block Flash Memory  
– 4 Mbit (256Kb x 16) SRAM  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ SUPPLY VOLTAGE  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
– V  
– V  
– V  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDQF  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDS  
= 12V for Fast Program (optional)  
PPF  
Figure 1. Packages  
■ ACCESS TIME: 70ns, 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W416TG: 88CEh  
– Bottom Device Code, M36W416BG: 88CFh  
FBGA  
FLASH MEMORY  
■ MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8mm  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
F
■ AUTOMATIC STAND-BY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ SECURITY  
– 64 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
– One parameter block permanently lockable  
November 2002  
1/62  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...62

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与M36W416TG85ZA6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W416TGZA STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416TG-ZAT STMICROELECTRONICS

获取价格

 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B STMICROELECTRONICS

获取价格

 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B70ZA1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,MIXED MEMORY,FLASH+SRAM,CMOS,BGA,66PIN,PLASTIC
M36W432B70ZA1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B70ZA1T NUMONYX

获取价格

 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W432B70ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M36W432B70ZA6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W432B70ZA6T NUMONYX

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 		Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

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