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M36W416BG85ZA6T

更新时间： 2024-11-20 21:03:39
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
62页 435K
描述
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66

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M36W416BG85ZA6T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LFBGA,针数：66
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.06Is Samacsys：N
其他特性：STATIC RAM ORGANISED AS 256K X 16JESD-30 代码：R-PBGA-B66
长度：12 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：66
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W416BG85ZA6T 数据手册

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M36W416TG  
M36W416BG  
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Flash Memory  
and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT  
SRAM  
■ 4 Mbit (256Kb x 16)  
– 16 Mbit (1Mb x 16) Boot Block Flash Memory  
– 4 Mbit (256Kb x 16) SRAM  
■ ACCESS TIME: 70ns  
■ SUPPLY VOLTAGE  
■ LOW V  
DATA RETENTION: 1.5V  
DDS  
– V  
– V  
– V  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDF  
DDQF  
DDS  
■ POWER DOWN FEATURES USING TWO  
CHIP ENABLE INPUTS  
= V  
= 2.7V to 3.3V  
DDS  
= 12V for Fast Program (optional)  
PPF  
Figure 1. Packages  
■ ACCESS TIME: 70ns, 85ns  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M36W416TG: 88CEh  
– Bottom Device Code, M36W416BG: 88CFh  
FBGA  
FLASH MEMORY  
■ MEMORY BLOCKS  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
– Main Blocks  
Stacked LFBGA66 (ZA)  
12 x 8mm  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs typical  
– Double Word Programming Option  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
F
■ AUTOMATIC STAND-BY MODE  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ SECURITY  
– 64 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device identifier  
– One parameter block permanently lockable  
November 2002  
1/62  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...62

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与M36W416BG85ZA6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W416BGZA STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416TG STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416TG70ZA1 NUMONYX

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 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416TG70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416TG70ZA1T NUMONYX

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 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416TG70ZA6 NUMONYX

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416TG70ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416TG70ZA6T NUMONYX

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 		Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416TG85ZA1 NUMONYX

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416TG85ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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