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M36W416BG70ZA1

更新时间： 2024-11-20 21:03:39

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恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
62页	435K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66

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M36W416BG70ZA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.07	其他特性：	STATIC RAM ORGANISED AS 256K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	长度：	12 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

M36W416BG70ZA1 数据手册

M36W416TG

M36W416BG

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Flash Memory

and 4Mbit (256Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ MULTIPLE MEMORY PRODUCT

SRAM

■ 4 Mbit (256Kb x 16)

– 16 Mbit (1Mb x 16) Boot Block Flash Memory

– 4 Mbit (256Kb x 16) SRAM

■ ACCESS TIME: 70ns

■ SUPPLY VOLTAGE

■ LOW V

DATA RETENTION: 1.5V

DDS

– V

= V

= 2.7V to 3.3V

DDF

DDQF

DDS

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

CHIP ENABLE INPUTS

= V

= 2.7V to 3.3V

DDS

= 12V for Fast Program (optional)

PPF

Figure 1. Packages

■ ACCESS TIME: 70ns, 85ns

■ LOW POWER CONSUMPTION

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M36W416TG: 88CEh

– Bottom Device Code, M36W416BG: 88CFh

FBGA

FLASH MEMORY

■ MEMORY BLOCKS

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

Stacked LFBGA66 (ZA)

12 x 8mm

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WP for Block Lock-Down

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ SECURITY

– 64 bit user programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

– One parameter block permanently lockable

November 2002

1/62

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...62

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36W416BG70ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416BG70ZA1T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416BG70ZA6	NUMONYX	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416BG70ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416BG70ZA6T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416BG85ZA1	NUMONYX	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416BG85ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
M36W416BG85ZA1T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416BG85ZA6	NUMONYX	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W416BG85ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 4Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

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