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M36W216B100ZA6

更新时间： 2024-11-20 14:38:11

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	340K
描述
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

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M36W216B100ZA6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
其他特性：	ALSO CONTAINS 128K X 16 SRAM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B66
长度：	12 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M36W216B100ZA6 数据手册

M36W216T

M36W216B

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Flash Memory

and 2 Mbit (128K x16) SRAM, Multiple Memory Product

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

SRAM

■ 2 Mbit (128K x 16 bit)

– V

= 2.7V to 3.3V

DDF

DDS

PPF

■ ACCESS TIME: 70ns

= V

= 2.7V to 3.3V

DDQF

■ LOW V

DATA RETENTION: 1.5V

DDS

= 12V for Fast Program (optional)

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

■ ACCESS TIME: 85,100ns

CHIP ENABLE INPUTS

■ LOW POWER CONSUMPTION

■ ELECTRONIC SIGNATURE

Figure 1. Packages

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M36W216T: 88CEh

– Bottom Device Code, M36W216B: 88CFh

FLASH MEMORY

■ 16 Mbit (1Mb x16) BOOT BLOCK

FBGA

– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or

Bottom Location)

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs typical

Stacked LFBGA66 (ZA)

8 x 8 ball array

– Double Word Programming Option

■ BLOCK LOCKING

– All blocks locked at Power up

– Any combination of blocks can be locked

– WPF for Block Lock-Down

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ COMMON FLASH INTERFACE

– 64 bit Security Code

■ SECURITY

– 64 bit user programmable OTP cells

– 64 bit unique device identifier

– One parameter block permanently lockable

May 2001

1/56

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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M36W216B85ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W216B85ZA6	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W216B85ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66
M36W216BI	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 2 Mbit 128Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W216BI70ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 2 Mbit 128Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W216BI85ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 2 Mbit 128Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W216BI85ZA6	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66
M36W216BIZA	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 2 Mbit 128Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc

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