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M36W108T120ZN1T

更新时间： 2024-11-20 20:45:27

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	247K
描述
Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48

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M36W108T120ZN1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LGA
包装说明：	VLGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
其他特性：	ALSO CONTAINS 128K X 8 SRAM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	11.8 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VLGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BUTT
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9.8 mm	Base Number Matches：	1

M36W108T120ZN1T 数据手册

M36W108T

M36W108B

8 Mbit (1Mb x8, Boot Block) Flash Memory and

1 Mbit (128Kb x8) SRAM Low Voltage Multi-Memory Product

NOT FOR NEW DESIGN

■ M36W108T and M36W108B are replaced

respectively by the M36W108AT and

M36W108AB

■ SUPPLY VOLTAGE

– V

= V

= 2.7V to 3.6V: for Program,

CCS

CCF

Erase and Read

BGA

LGA

■ ACCESS TIME: 100ns

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Read: 40mA max. (SRAM chip)

– Stand-by: 30µA max. (SRAM chip)

– Read: 10mA max. (Flash chip)

– Stand-by: 100µA max. (Flash chip)

LBGA48 (ZM)

6 x 8 solder balls

LGA48 (ZN)

6 x 8 solder lands

FLASH MEMORY

■ 8 Mbit (1Mb x 8) BOOT BLOCK ERASE

Figure 1. Logic Diagram

■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte

CCF CCS

– Status Register bits and Ready/Busy Output

■ MEMORY BLOCKS

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main Blocks

A0-A19

DQ0-DQ7

■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

M36W108T

M36W108B

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

E1S

E2S

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code, M36W108T: D2h

– Device Code, M36W108B: DCh

SRAM

AI02509

■ 1 Mbit (128Kb x 8)

■ POWER DOWN FEATURES USING TWO

CHIP ENABLE INPUTS

■ LOW V

DATA RETENTION: 2V

May 1999

1/35

This is information on a product still in production but not recommended for new designs.

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M36W108T120ZN5	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108T120ZN5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108T120ZN5T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108T120ZN6	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108T120ZN6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108T120ZN6T	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX8, CMOS, PBGA48, LGA-48
M36W108TZM	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108TZN	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W216	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Flash Memory and 2 Mbit 128Kb x16 SRAM, Multiple Memory Produc
M36W216B100ZA1	NUMONYX	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA66, 0.80 MM PITCH, STACK, LFBGA-66

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