5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > M36W0T7050T0ZAQF
M36W0T7050T0ZAQF PDF预览

M36W0T7050T0ZAQF

更新时间： 2024-11-19 19:53:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 390K
描述
Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

阅读下载

中文翻译

获取价格

M36W0T7050T0ZAQF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：88
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.15其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B88JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：88
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W0T7050T0ZAQF 数据手册

 浏览型号M36W0T7050T0ZAQF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M36W0T7050T0ZAQF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M36W0T7050T0ZAQF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M36W0T7050T0ZAQF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M36W0T7050T0ZAQF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M36W0T7050T0ZAQF的Datasheet PDF文件第7页 
M36W0T7050T0  
M36W0T7050B0  
128Mbit (Multiple Bank, 8Mb x 16, Burst) Flash Memory  
32Mbit (2M x16) PSRAM, Dual Supply, Multi-Chip Package  
FEATURES SUMMARY  
■
MULTI-CHIP PACKAGE  
Figure 1. Package  
–
1 die of 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank,  
Burst) Flash Memory  
–
1 die of 32 Mbit (2Mb x16) Pseudo SRAM  
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
–
VDDF = 1.7 to 2V  
VDDP = VDDQ = 2.7 to 3.3V  
FBGA  
VPP = 12V for fast Program (optional)  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code (Top Flash Configuration)  
M36W0T7050T0: 881Eh  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 x 10mm  
–
Device Code (Bottom Flash  
Configuration) M36W0T7050B0: 881Fh  
PACKAGE  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
■
■
SECURITY  
–
Lead-Free Versions  
–
–
128 bit user programmable OTP cells  
64 bit unique device number  
FLASH MEMORY  
■
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
–
–
BLOCK LOCKING  
Synchronous Burst Read mode: 40MHz  
Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
–
–
–
All blocks locked at power-up  
Any combination of blocks can be locked  
WPF for Block Lock-Down  
–
Random Access: 70ns  
■
■
SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
PROGRAMMING TIME  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
–
8µs by Word typical for Fast Factory  
Program  
PSRAM  
–
–
Double/Quadruple Word Program option  
Enhanced Factory Program options  
■
■
■
■
■
■
■
ACCESS TIME: 70ns  
LOW STANDBY CURRENT: 100µA  
DEEP POWER DOWN CURRENT: 10µA  
BYTE CONTROL: UBP/LBP  
PROGRAMMABLE PARTIAL ARRAY  
8 WORD PAGE ACCESS CAPABILITY: 18ns  
POWER-DOWN MODES  
■
■
MEMORY BLOCKS  
–
Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit  
Banks  
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
–
DUAL OPERATIONS  
–
– Deep Power-Down  
program/erase in one Bank while read in  
others  
No delay between read and write  
operations  
– 4 Mbit Partial Array Refresh  
– 8 Mbit Partial Array Refresh  
– 16 Mbit Partial Array Refresh  
–
December 2004  
1/18  
1234567...18

中文翻译

下载PDF

与M36W0T7050T0ZAQF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W108 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZM1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
M36W108AB100ZM1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZM5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
M36W108AB100ZM5T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
M36W108AB100ZM6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZN1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, LGA-48
M36W108AB100ZN1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P

与M36W0T7050T0ZAQF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证