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M36W0T7050T0ZAQF PDF预览

M36W0T7050T0ZAQF

更新时间： 2024-02-02 08:25:05
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 390K
描述
Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-88

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M36W0T7050T0ZAQF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：88
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.15其他特性：PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B88JESD-609代码：e1
长度：10 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：88
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M36W0T7050T0ZAQF 数据手册

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M36W0T7050T0  
M36W0T7050B0  
128Mbit (Multiple Bank, 8Mb x 16, Burst) Flash Memory  
32Mbit (2M x16) PSRAM, Dual Supply, Multi-Chip Package  
FEATURES SUMMARY  
■
MULTI-CHIP PACKAGE  
Figure 1. Package  
–
1 die of 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank,  
Burst) Flash Memory  
–
1 die of 32 Mbit (2Mb x16) Pseudo SRAM  
■
SUPPLY VOLTAGE  
–
–
–
VDDF = 1.7 to 2V  
VDDP = VDDQ = 2.7 to 3.3V  
FBGA  
VPP = 12V for fast Program (optional)  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code (Top Flash Configuration)  
M36W0T7050T0: 881Eh  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 x 10mm  
–
Device Code (Bottom Flash  
Configuration) M36W0T7050B0: 881Fh  
PACKAGE  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
■
■
SECURITY  
–
Lead-Free Versions  
–
–
128 bit user programmable OTP cells  
64 bit unique device number  
FLASH MEMORY  
■
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
–
–
BLOCK LOCKING  
Synchronous Burst Read mode: 40MHz  
Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
–
–
–
All blocks locked at power-up  
Any combination of blocks can be locked  
WPF for Block Lock-Down  
–
Random Access: 70ns  
■
■
SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
PROGRAMMING TIME  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
–
8µs by Word typical for Fast Factory  
Program  
PSRAM  
–
–
Double/Quadruple Word Program option  
Enhanced Factory Program options  
■
■
■
■
■
■
■
ACCESS TIME: 70ns  
LOW STANDBY CURRENT: 100µA  
DEEP POWER DOWN CURRENT: 10µA  
BYTE CONTROL: UBP/LBP  
PROGRAMMABLE PARTIAL ARRAY  
8 WORD PAGE ACCESS CAPABILITY: 18ns  
POWER-DOWN MODES  
■
■
MEMORY BLOCKS  
–
Multiple Bank Memory Array: 4 Mbit  
Banks  
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
–
DUAL OPERATIONS  
–
– Deep Power-Down  
program/erase in one Bank while read in  
others  
No delay between read and write  
operations  
– 4 Mbit Partial Array Refresh  
– 8 Mbit Partial Array Refresh  
– 16 Mbit Partial Array Refresh  
–
December 2004  
1/18  
1234567...18

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与M36W0T7050T0ZAQF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M36W108 STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZM1 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZM5 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 1 MM PITCH, LBGA-48
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M36W108AB100ZM6 STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P
M36W108AB100ZN1 STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, LGA-48
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 		8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory P

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