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M36P0R8070E0ZACF

更新时间： 2024-09-28 03:32:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 639K
描述
256 Mbit (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 128 Mbit (burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package

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M36P0R8070E0ZACF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA107,9X12,32
针数：107Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.44
最长访问时间：93 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 8M X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B107长度：11 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：FLASH+PSRAM
功能数量：1端子数量：107
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA107,9X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Other Memory ICs
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mm

M36P0R8070E0ZACF 数据手册

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M36P0R8070E0  
256 Mbit (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory  
128 Mbit (burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package  
Features  
■ Multichip package  
– 1 die of 256 Mbit (16 Mb x 16, multiple  
bank, multilevel, burst) Flash memory  
FBGA  
– 1 die of 128 Mbit (8 Mb x16) PSRAM  
■ Supply voltage  
– V  
– V  
= V  
= V  
= 1.7 to 1.95 V  
DDQ  
TFBGA107 (ZAC)  
DDF  
PPF  
CCP  
= 9 V for fast program (12 V tolerant)  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 20h  
– Device code: 8818  
■ Block locking  
■ Package  
– All blocks locked at power-up  
– ECOPACK®  
– Any combination of blocks can be locked  
with zero latency  
Flash memory  
■ Synchronous/asynchronous read  
– WP for block lock-down  
F
– Synchronous burst read mode:  
108 MHz, 66 MHz  
– Absolute write protection with V  
= V  
PPF SS  
■ CFI (common Flash interface)  
– Asynchronous page read mode  
– Random access: 93 ns  
PSRAM  
■ Access time: 70 ns  
■ Programming time  
■
Asynchronous page read  
– 4 µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
– Page size: 4, 8 or 16 words  
– Subsequent read within page: 20 ns  
■ Memory organization  
■ Synchronous burst read/write  
– Multiple bank memory array: 32 Mbit banks  
– Four EFA (extended flash array) blocks of  
64 Kbits  
■ Low power consumption  
– Active current: < 25 mA  
– Standby current: 200 µA  
– Deep power-down current: 10 µA  
■ Dual operations  
– Program/erase in one bank while read in  
others  
■ Low power features  
– PASR (partial array self refresh)  
– DPD (deep power-down) mode  
– No delay between read and write  
operations  
■ Security  
– 64bit unique device number  
– 2112 bit user programmable OTP Cells  
■ 100 000 program/erase cycles per block  
December 2007  
Rev 2  
1/22  
www.numonyx.com  
1
1234567...22

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