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Datasheet > 存储 > 闪存> M30L0R8000T0ZAQ
M30L0R8000T0ZAQ PDF预览

M30L0R8000T0ZAQ

更新时间： 2024-10-27 22:20:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
83页 1370K
描述
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory

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M30L0R8000T0ZAQ 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88
针数：88Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.42Is Samacsys：N
最长访问时间：85 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B88JESD-609代码：e0
长度：10 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：4,255
端子数量：88字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：8 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.052 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M30L0R8000T0ZAQ 数据手册

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M30L0R8000T0  
M30L0R8000B0  
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst)  
1.8V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
–
V
read  
= 1.7V to 2.0V for program, erase and  
DD  
–
–
V
V
= 1.7V to 2.0V for I/O Buffers  
DDQ  
= 9V for fast program (12V tolerant)  
PP  
■
SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
–
Synchronous Burst Read mode:  
54MHz  
FBGA  
–
–
Asynchronous Page Read mode  
Random Access: 85ns  
■
■
SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
PROGRAMMING TIME  
–
10µs typical Word program time using  
Buffer Enhanced Factory Program  
command  
TFBGA88 (ZAQ) 8 x 10mm  
■
■
■
MEMORY ORGANIZATION  
–
Multiple Bank Memory Array: 16 Mbit  
Banks  
–
Parameter Blocks (Top or Bottom  
location)  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Top Device Code,  
M30L0R8000T0: 880Dh.  
DUAL OPERATIONS  
–
program/erase in one Bank while read in  
others  
–
Bottom Device Code,  
M30L0R8000B0: 880Eh.  
–
No delay between read and write  
operations  
PACKAGE  
BLOCK LOCKING  
–
Compliant with Lead-Free Soldering  
Processes  
–
–
All blocks locked at power-up  
Any combination of blocks can be locked  
with zero latency  
–
Lead-Free Versions  
–
–
WP for Block Lock-Down  
Absolute Write Protection with V = V  
PP  
SS  
■
SECURITY  
–
–
64 bit unique device number  
2112 bit user programmable OTP Cells  
■
■
COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
May 2005  
1/83  
1234567...83

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与M30L0R8000T0ZAQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M30L0R8000T0ZAQE STMICROELECTRONICS

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 		256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQF STMICROELECTRONICS

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 		256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T0ZAQT STMICROELECTRONICS

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 		256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R8000T2ZAQE STMICROELECTRONICS

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 		16MX16 FLASH 1.8V PROM, 85ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88
M30L0R8000T2ZAQF STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,16MX16,CMOS,BGA,88PIN,PLASTIC
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