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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88 |
| 针数： | 88 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.35 | 最长访问时间： | 85 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B88 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 10 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 4,127 | 端子数量： | 88 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 8MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA88,8X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小： | 4 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8 V |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 16K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.047 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M30L0R7000T1ZAQ | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 85ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88 |
|
| M30L0R7000T1ZAQE | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8MX16 FLASH 1.8V PROM, 85ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88 |
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| M30L0R7000T1ZAQF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8MX16 FLASH 1.8V PROM, 85ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88 |
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| M30L0R7000T1ZAQT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8MX16 FLASH 1.8V PROM, 85ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-88 |
|
| M30L0R7000XX | STMICROELECTRONICS |
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128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory |
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| M30L0R8000B0 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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| M30L0R8000B0ZAQ | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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| M30L0R8000B0ZAQE | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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| M30L0R8000B0ZAQF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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| M30L0R8000B0ZAQT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
256 Mbit (16Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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