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M29W800DB90N6T PDF预览

M29W800DB90N6T

更新时间： 2024-09-29 22:56:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储
页数 文件大小 规格书
41页 220K
描述
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W800DB90N6T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.12最长访问时间：90 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29W800DB90N6T 数据手册

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M29W800DT  
M29W800DB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
■ ACCESS TIME: 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
■ 19 MEMORY BLOCKS  
SO44 (M)  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
FBGA  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
TFBGA48 (ZA)  
8 x 6 ball array  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom Device Code M29W800DB: 225Bh  
April 2002  
1/41  
1234567...41

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M29W800DB90N6T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S29AL008J70TFI010 CYPRESS

功能相似

 Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, TSOP-48

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800DB90ZA1E STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB90ZA1F STMICROELECTRONICS

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