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M29W800DB70N1E

更新时间： 2024-09-30 05:23:27
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
52页 1105K
描述
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

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M29W800DB70N1E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.1
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29W800DB70N1E 数据手册

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M29W800DT  
M29W800DB  
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block)  
3 V supply flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and  
CC  
read  
■ Access times: 45, 70, 90 ns  
■ Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
SO44 (M)  
■ 19 memory blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
– 2 parameter and 16 main blocks  
■ Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ Erase suspend and resume modes  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– Read and program another block during  
erase suspend  
■ Unlock bypass program command  
FBGA  
– Faster production/batch programming  
■ Temporary block unprotection mode  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
■ Common flash interface  
– 64-bit security code  
■ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top device code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom device code M29W800DB: 225Bh  
March 2008  
Rev 10  
1/52  
www.numonyx.com  
1
1234567...52

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与M29W800DB70N1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800DB70N1F STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N1F NUMONYX

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 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
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 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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