5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> M29W800DB70M1T
M29W800DB70M1T PDF预览

M29W800DB70M1T

更新时间： 2024-11-10 22:56:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
41页 220K
描述
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

M29W800DB70M1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.47Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：28.2 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP44,.63封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：2.8 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

M29W800DB70M1T 数据手册

 浏览型号M29W800DB70M1T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W800DB70M1T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W800DB70M1T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W800DB70M1T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W800DB70M1T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W800DB70M1T的Datasheet PDF文件第7页 
M29W800DT  
M29W800DB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
■ ACCESS TIME: 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
■ 19 MEMORY BLOCKS  
SO44 (M)  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
FBGA  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
TFBGA48 (ZA)  
8 x 6 ball array  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom Device Code M29W800DB: 225Bh  
April 2002  
1/41  
1234567...41

中文翻译

下载PDF

与M29W800DB70M1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800DB70M6E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70M6E NUMONYX

获取价格

 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70M6F NUMONYX

获取价格

 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70M6F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70M6T NUMONYX

获取价格

 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70M6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N1E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N1E NUMONYX

获取价格

 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
M29W800DB70N1F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70N1F NUMONYX

获取价格

 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

与M29W800DB70M1T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证