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M29W800DB45ZE6E

更新时间： 2024-11-12 15:18:19
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
53页 1053K
描述
8Mb (1Mb x8 or 512Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory

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M29W800DB45ZE6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,32针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.67
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M29W800DB45ZE6E 数据手册

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M29W800DT  
M29W800DB  
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block)  
3 V supply flash memory  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7 V to 3.6 V for program, erase  
and read  
„ Access times: 45, 70, 90 ns  
„ Programming time  
– 10 μs per byte/word typical  
SO44 (M)  
„ 19 memory blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
– 2 parameter and 16 main blocks  
„ Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
„ Erase suspend and resume modes  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– Read and program another block during  
erase suspend  
„ Unlock bypass program command  
FBGA  
– Faster production/batch programming  
„ Temporary block unprotection mode  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
„ Common flash interface  
– 64-bit security code  
„ Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
„ 100,000 program/erase cycles per block  
„ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top device code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom device code M29W800DB: 225Bh  
January 2018  
Rev 12  
1/52  
www.numonyx.com  
1
1234567...53

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M29W800DB45ZE6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W800DB45ZE6F MICRON

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M29W800DB45ZE6F STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45ZE6F NUMONYX

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 		8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory
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M29W800DB45ZE6T STMICROELECTRONICS

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M29W800DB70M1E STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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