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M29W800DB45ZE1F

更新时间: 2024-11-11 05:23:27
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恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 1105K
描述
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory

M29W800DB45ZE1F 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48针数:48
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.54
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B48长度:8 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:48
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:6 mmBase Number Matches:1

M29W800DB45ZE1F 数据手册

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M29W800DT  
M29W800DB  
8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block)  
3 V supply flash memory  
Features  
Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase and  
CC  
read  
Access times: 45, 70, 90 ns  
Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
SO44 (M)  
19 memory blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
– 2 parameter and 16 main blocks  
Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
Erase suspend and resume modes  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– Read and program another block during  
erase suspend  
Unlock bypass program command  
FBGA  
– Faster production/batch programming  
Temporary block unprotection mode  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
Common flash interface  
– 64-bit security code  
Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
100,000 program/erase cycles per block  
Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
Top device code M29W800DT: 22D7h  
– Bottom device code M29W800DB: 225Bh  
March 2008  
Rev 10  
1/52  
www.numonyx.com  
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