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M29W800AT90ZA6T

更新时间： 2024-11-02 20:35:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	720K
描述
Flash, 512KX16, 90ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48

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M29W800AT90ZA6T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.33
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
数据保留时间-最小值：	20	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	9 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

M29W800AT90ZA6T 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ

OPERATIONS

■

ACCESS TIME: 80ns

PROGRAMMING TIME: 10µs typical

PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

FBGA

–

Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

Status Register bits and Ready/Busy

Output

TFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■

SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

MEMORY BLOCKS

–

Boot Block (Top or Bottom location)

Parameter and Main blocks

■

BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

■

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

SO44 (M)

LOW POWER CONSUMPTION

Stand-by and Automatic Stand-by

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

20 YEARS DATA RETENTION

Figure 2. Logic Diagram

–

Defectivity below 1ppm/year

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code, M29W800AT: D7h

Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

A0-A18

DQ0-DQ14

DQ15A–1

BYTE

M29W800AT

M29W800AB

AI02599

March 2004

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M29W800B100M1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800B-100M1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800B-100M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO44, SO-44
M29W800B100M5R	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800B100M5TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800B-100M5TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800B100M6R	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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