5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> M29W800AT120ZA1T
M29W800AT120ZA1T PDF预览

M29W800AT120ZA1T

更新时间： 2024-01-29 06:18:22
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 235K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

M29W800AT120ZA1T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.35
最长访问时间：120 ns其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
数据保留时间-最小值：20JESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：9 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M29W800AT120ZA1T 数据手册

 浏览型号M29W800AT120ZA1T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W800AT120ZA1T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W800AT120ZA1T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W800AT120ZA1T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W800AT120ZA1T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W800AT120ZA1T的Datasheet PDF文件第7页 
M29W800AT  
M29W800AB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 80ns  
44  
■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/Busy Output  
■ SECURITY PROTECTION MEMORY AREA  
■ INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits  
■ MEMORY BLOCKS  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
SO44 (M)  
FBGA  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
LFBGA48 (ZA)  
8 x 6 solder balls  
■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
■ MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
Figure 1. Logic Diagram  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
V
CC  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
19  
15  
BLOCK  
A0-A18  
DQ0-DQ14  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
M29W800AT  
M29W800AB  
– Manufacturer Code: 20h  
G
– Top Device Code, M29W800AT: D7h  
– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh  
RP  
V
SS  
AI02599  
March 2000  
1/33  
1234567...33

中文翻译

下载PDF

与M29W800AT120ZA1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800AT120ZA5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA5 NUMONYX

获取价格

 		512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA5T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT120ZA5T NUMONYX

获取价格

 		Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT120ZA6T NUMONYX

获取价格

 		Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT80M1 NUMONYX

获取价格

 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800AT80M1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT80M1T NUMONYX

获取价格

 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800AT80M5 NUMONYX

获取价格

 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

与M29W800AT120ZA1T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证