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M29W800AT120N5T

更新时间： 2024-02-20 12:43:16

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
33页	235K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W800AT120N5T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W800AT120N5T 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 80ns

■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

– Status Register bits and Ready/Busy Output

■ SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

■ INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

■ MEMORY BLOCKS

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main blocks

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

■ MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-by and Automatic Stand-by

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

A0-A18

DQ0-DQ14

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

DQ15A–1

BYTE

■ ELECTRONIC SIGNATURE

M29W800AT

M29W800AB

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M29W800AT: D7h

– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

AI02599

March 2000

1/33

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M29W800AT120N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AT120N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT120ZA1	NUMONYX	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT120ZA5	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA5	NUMONYX	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AT120ZA5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT120ZA5T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48

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