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M29W800AB80N1

更新时间： 2024-12-01 20:35:07
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 720K
描述
Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29W800AB80N1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.26最长访问时间：80 ns
其他特性：20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM数据保留时间-最小值：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W800AB80N1 数据手册

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M29W800AT  
M29W800AB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
Figure 1. Packages  
PROGRAM, ERASE and READ  
OPERATIONS  
■
■
■
ACCESS TIME: 80ns  
PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
FBGA  
–
–
Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
Status Register bits and Ready/Busy  
Output  
TFBGA48 (ZA)  
8 x 6 solder balls  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■
■
■
SECURITY PROTECTION MEMORY AREA  
INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits  
MEMORY BLOCKS  
–
–
Boot Block (Top or Bottom location)  
Parameter and Main blocks  
■
■
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
■
■
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
–
Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
SO44 (M)  
LOW POWER CONSUMPTION  
Stand-by and Automatic Stand-by  
–
■
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
20 YEARS DATA RETENTION  
Figure 2. Logic Diagram  
V
CC  
–
Defectivity below 1ppm/year  
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
19  
15  
–
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Top Device Code, M29W800AT: D7h  
Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh  
A0-A18  
DQ0-DQ14  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29W800AT  
M29W800AB  
G
RP  
V
SS  
AI02599  
March 2004  
1/40  
1234567...40

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W800AB80N1T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N1T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N5 NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N5T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N5T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M29W800AB80N6 NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N6T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N6T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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