Datasheet > 存储 > 闪存> M29W800AB80N1

M29W800AB80N1

更新时间： 2024-12-01 13:10:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
40页	721K
描述
512KX16 FLASH 3V PROM, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29W800AB80N1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.26	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,15	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W800AB80N1 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ

OPERATIONS

■

ACCESS TIME: 80ns

PROGRAMMING TIME: 10µs typical

PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

FBGA

–

Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

Status Register bits and Ready/Busy

Output

TFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■

SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

MEMORY BLOCKS

–

Boot Block (Top or Bottom location)

Parameter and Main blocks

■

BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

■

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

SO44 (M)

LOW POWER CONSUMPTION

Stand-by and Automatic Stand-by

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

20 YEARS DATA RETENTION

Figure 2. Logic Diagram

–

Defectivity below 1ppm/year

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code, M29W800AT: D7h

Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

A0-A18

DQ0-DQ14

DQ15A–1

BYTE

M29W800AT

M29W800AB

AI02599

March 2004

1/40

12 3 4 5 6 7...40

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与M29W800AB80N1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W800AB80N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N5	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N5T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
M29W800AB80N6	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB80ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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