Datasheet > M29W800AB120ZA1T

M29W800AB120ZA1T

更新时间： 2024-12-01 20:35:07

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	720K
描述
Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W800AB120ZA1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	9 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NOR TYPE	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

M29W800AB120ZA1T 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

Figure 1. Packages

PROGRAM, ERASE and READ

OPERATIONS

■

ACCESS TIME: 80ns

PROGRAMMING TIME: 10µs typical

PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

FBGA

–

Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

Status Register bits and Ready/Busy

Output

TFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■

SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

MEMORY BLOCKS

–

Boot Block (Top or Bottom location)

Parameter and Main blocks

■

BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

■

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

SO44 (M)

LOW POWER CONSUMPTION

Stand-by and Automatic Stand-by

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

20 YEARS DATA RETENTION

Figure 2. Logic Diagram

–

Defectivity below 1ppm/year

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code, M29W800AT: D7h

Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

A0-A18

DQ0-DQ14

DQ15A–1

BYTE

M29W800AT

M29W800AB

AI02599

March 2004

1/40

12 3 4 5 6 7...40

中文翻译

下载PDF

与M29W800AB120ZA1T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W800AB120ZA5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB120ZA6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AB120ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80M1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800AB80M5	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800AB80M5T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29W800AB80M5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80M6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 3V PROM, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

与M29W800AB120ZA1T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W800AB120ZA1T

M29W800AB120ZA1T 技术参数

M29W800AB120ZA1T 数据手册

与M29W800AB120ZA1T相关器件

与M29W800AB120ZA1T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W800AB120ZA1T

M29W800AB120ZA1T 技术参数

M29W800AB120ZA1T 数据手册

与M29W800AB120ZA1T相关器件

与M29W800AB120ZA1T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？