Datasheet > 存储 > 闪存> M29W800AB100N1T

M29W800AB100N1T

更新时间： 2024-11-30 22:14:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
33页	235K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W800AB100N1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29W800AB100N1T 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 80ns

■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

– Status Register bits and Ready/Busy Output

■ SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

■ INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

■ MEMORY BLOCKS

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main blocks

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

■ MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-by and Automatic Stand-by

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

A0-A18

DQ0-DQ14

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

DQ15A–1

BYTE

■ ELECTRONIC SIGNATURE

M29W800AT

M29W800AB

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M29W800AT: D7h

– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

AI02599

March 2000

1/33

12 3 4 5 6 7...33

中文翻译

下载PDF

与M29W800AB100N1T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W800AB100N5	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB100N5T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB100N5T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB100N6	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB100N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB100N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W800AB100ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 100ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AB100ZA1	NUMONYX	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 100ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W800AB100ZA1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB100ZA5	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48

与M29W800AB100N1T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W800AB100N1T

M29W800AB100N1T 技术参数

M29W800AB100N1T 数据手册

与M29W800AB100N1T相关器件

与M29W800AB100N1T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W800AB100N1T

M29W800AB100N1T 技术参数

M29W800AB100N1T 数据手册

与M29W800AB100N1T相关器件

与M29W800AB100N1T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？