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M29W800AB100M5T

更新时间： 2024-11-29 22:14:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
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33页	235K
描述
8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W800AB100M5T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP44,.63
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	28.2 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP44,.63
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.8 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	13.3 mm	Base Number Matches：	1

M29W800AB100M5T 数据手册

M29W800AT

M29W800AB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

Low Voltage Single Supply Flash Memory

■ 2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for

PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS

■ ACCESS TIME: 80ns

■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)

– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word

– Status Register bits and Ready/Busy Output

■ SECURITY PROTECTION MEMORY AREA

■ INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits

■ MEMORY BLOCKS

TSOP48 (N)

12 x 20mm

SO44 (M)

FBGA

– Boot Block (Top or Bottom location)

– Parameter and Main blocks

LFBGA48 (ZA)

8 x 6 solder balls

■ BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE

■ MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY

UNPROTECTION MODES

Figure 1. Logic Diagram

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Stand-by and Automatic Stand-by

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

A0-A18

DQ0-DQ14

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

DQ15A–1

BYTE

■ ELECTRONIC SIGNATURE

M29W800AT

M29W800AB

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M29W800AT: D7h

– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh

AI02599

March 2000

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