Datasheet > 存储 > 闪存> M29W641DU70ZA1T

M29W641DU70ZA1T

更新时间： 2024-11-05 22:29:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	625K
描述
64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W641DU70ZA1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	63	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	类型：	NOR TYPE
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

M29W641DU70ZA1T 数据手册

M29W641DH, M29W641DL

M29W641DU

64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block)

3V Supply Flash Memory

PRODUCT PREVIEW

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V

= 1.8V to 3.6V for Input/Output

CCQ

– V =12 V for Fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 90, 100 and 120ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10 µs typical

– Double Word Program option

■ 128 UNIFORM, 32-KWord MEMORY BLOCKS

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Program and Erase algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TSOP48 (N)

12 x 20mm

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ WRITE PROTECT OPTIONS

FBGA

– M29W641DH: WP Pin for Write Protection of

Highest Address Block

– M29W641DL: WP Pin for Write Protection of

Lowest Address Block

TFBGA63 (ZA)

7 x 11mm

– M29W641DU: No Write Protection

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ EXTENDED MEMORY BLOCK

– Extra block used as security block or to store

additional information

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Device Code M29W641D: 22C7h

April 2003

1/42

This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...42

中文翻译

下载PDF

与M29W641DU70ZA1T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W641DU70ZA6	NUMONYX	获取价格	暂无描述
M29W641DU70ZA6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70ZA6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

与M29W641DU70ZA1T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W641DU70ZA1T

M29W641DU70ZA1T 技术参数

M29W641DU70ZA1T 数据手册

与M29W641DU70ZA1T相关器件

与M29W641DU70ZA1T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W641DU70ZA1T

M29W641DU70ZA1T 技术参数

M29W641DU70ZA1T 数据手册

与M29W641DU70ZA1T相关器件

与M29W641DU70ZA1T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？