Datasheet > 存储 > 闪存> M29W641DU12ZA1T

M29W641DU12ZA1T

更新时间： 2024-11-29 22:08:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	625K
描述
64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W641DU12ZA1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63	针数：	63
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	63
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

M29W641DU12ZA1T 数据手册

M29W641DH, M29W641DL

M29W641DU

64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block)

3V Supply Flash Memory

PRODUCT PREVIEW

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V

= 1.8V to 3.6V for Input/Output

CCQ

– V =12 V for Fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 90, 100 and 120ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10 µs typical

– Double Word Program option

■ 128 UNIFORM, 32-KWord MEMORY BLOCKS

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Program and Erase algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

TSOP48 (N)

12 x 20mm

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

■ WRITE PROTECT OPTIONS

FBGA

– M29W641DH: WP Pin for Write Protection of

Highest Address Block

– M29W641DL: WP Pin for Write Protection of

Lowest Address Block

TFBGA63 (ZA)

7 x 11mm

– M29W641DU: No Write Protection

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ EXTENDED MEMORY BLOCK

– Extra block used as security block or to store

additional information

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Standby and Automatic Standby

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Device Code M29W641D: 22C7h

April 2003

1/42

This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...42

中文翻译

下载PDF

与M29W641DU12ZA1T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W641DU12ZA6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PBGA63, 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
M29W641DU12ZA6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU12ZA6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU12ZA6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

与M29W641DU12ZA1T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W641DU12ZA1T

M29W641DU12ZA1T 技术参数

M29W641DU12ZA1T 数据手册

与M29W641DU12ZA1T相关器件

与M29W641DU12ZA1T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W641DU12ZA1T

M29W641DU12ZA1T 技术参数

M29W641DU12ZA1T 数据手册

与M29W641DU12ZA1T相关器件

与M29W641DU12ZA1T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？