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M29W640GT70ZA6E PDF预览

M29W640GT70ZA6E

更新时间： 2024-01-01 20:29:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
90页 850K
描述
4MX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48

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M29W640GT70ZA6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,32
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：8 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.01 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M29W640GT70ZA6E 数据手册

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M29W640GH M29W640GL  
M29W640GT M29W640GB  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page)  
3V supply Flash memory  
Feature  
FBGA  
■ Supply Voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for Program/Erase/Read  
CC  
– V =12 V for Fast Program (optional)  
PP  
TSOP48 (NA)  
12 x 20mm  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 8mm  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 4 words  
– Page Access: 25 ns  
FBGA  
– Random Access: 60 ns, 70 ns, 90 ns  
■ Fast Program commands  
– 2 word/4 byte Program (without V =12 V)  
PP  
TBGA64 (ZF)  
10 x 13mm(1)  
TSOP56 (NB)  
– 4 word/8 byte Program (with V =12 V)  
)
PP  
14 x 20mm(1  
– 16 word/32 byte Write Buffer  
1. Packages only available upon request.  
■ Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
– Chip Program time: 10 s (4-word Program)  
■ 128 word Extended Memory block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Memory organization  
– M29W640GH/L:  
■ Low power consumption:Standby and  
128 main blocks, 64 Kbytes each  
Automatic Standby  
– M29W640GT/B  
■ Unlock Bypass Program command  
Eight 8 Kbytes Boot blocks (top or bottom)  
127 Main blocks, 64 Kbytes each  
– Faster Production/Batch Programming  
■ Program/Erase controller  
■ Common Flash Interface: 64-bit Security Code  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect  
PP  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
– Read from any block during Program  
Suspend  
■ Electronic Signature  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device code (see Table 1)  
®
■ ECOPACK packages  
Table 1.  
Device summary  
Root Part Number  
Device code  
M29W640GH: Uniform, last block protected by VPP/WP  
M29W640GL: Uniform, first block protected by VPP/WP  
M29W640GT: Top Boot Blocks  
227Eh + 220Ch + 2201h  
227Eh + 220Ch + 2200h  
227Eh + 2210h + 2201h  
227Eh + 2210h + 2200h  
M29W640GB: Bottom Boot Blocks  
February 2007  
Rev 4  
1/90  
www.st.com  
1
1234567...90

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M29W640GT70ZA6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SST38VF6403-90-5C-B3KE MICROCHIP

功能相似

 64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
SST38VF6401-90-5I-B3KE MICROCHIP

功能相似

 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-
SST38VF6401-90-5C-B3KE MICROCHIP

功能相似

 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-

与M29W640GT70ZA6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W640GT70ZA6EP MICRON

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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GT70ZA6F NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GT70ZA6F MICRON

获取价格

 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W640GT70ZF6E NUMONYX

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
M29W640GT70ZF6E MICRON

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 		64Mb (8Mb x8 or 4Mb x16), Uniform Block or Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
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