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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W640FT60N6E
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M29W640FT60N6E

更新时间： 2024-11-19 05:11:03
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
71页 1409K
描述
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W640FT60N6E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.47
Is Samacsys：N最长访问时间：60 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：48
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：4/8 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W640FT60N6E 数据手册

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M29W640FT  
M29W640FB  
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page, Boot Block)  
3V Supply Flash Memory  
Feature summary  
■ Supply voltage  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase,  
CC  
Read  
– V =12 V for Fast Program (optional)  
PP  
■ Asynchronous Random/Page Read  
– Page Width: 4 Words  
– Page Access: 25ns  
– Random Access: 60ns, 70ns  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ Programming time  
– 10µs per Byte/Word typical  
– 4 Words / 8 Bytes Program  
■ 135 Memory Blocks  
FBGA  
– 1 Boot Block and 7 Parameter Blocks,  
8 KBytes each (Top or Bottom location)  
– 127 Main Blocks, 64 KBytes each  
TFBGA48 (ZA)  
6x8mm  
■ Program/Erase Controller  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
■ Program/Erase Suspend and Resume  
– Read from any Block during Program  
Suspend  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ Extended Memory Block  
■ Extra block used as security block or to store  
additional information  
■ Low power consumption  
■ Unlock Bypass Program command  
– Standby and Automatic Standby  
– Faster Production/Batch Programming  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ V /WP pin for Fast Program and Write Protect  
PP  
■ Electronic Signature  
■ Temporary Block Unprotection mode  
– Manufacturer Code: 0020h  
■ Common Flash Interface  
®
■ ECOPACK packages  
– 64-bit Security Code  
Table 1.  
Device Codes  
Root Part Number  
Device Code  
M29W640FT  
M29W640FB  
22EDh  
22FDh  
December 2007  
Rev 7  
1/71  
www.numonyx.com  
1
1234567...71

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W640FT60N6F STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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