Datasheet > 存储 > 闪存> M29W640DB70ZA6T

M29W640DB70ZA6T

更新时间： 2024-10-31 22:26:23

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	943K
描述
64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W640DB70ZA6T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	8,127	端子数量：	63
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA63,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

M29W640DB70ZA6T 数据手册

M29W640DT

M29W640DB

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase,

Read

–

V_PP=12 V for Fast Program (optional)

■

ACCESS TIME: 90 ns

PROGRAMMING TIME

–

10 µs per Byte/Word typical

Double Word Programming Option

■

135 MEMORY BLOCKS

–

1 Boot Block and 7 Parameter Blocks,

8 KBytes each (Top or Bottom Location)

127 Main Blocks, 64 KBytes each

TSOP48 (N)

12 x 20mm

–

■

PROGRAM/ERASE CONTROLLER

–

Embedded Byte/Word Program

algorithms

FBGA

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

TFBGA63 (ZA)

63 ball array

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

–

■

V_PP/WP Pin for FAST PROGRAM and WRITE

PROTECT

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

–

64-bit Security Code

■

EXTENDED MEMORY BLOCK

–

Extra block used as security block or to

store additional information

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29W640DT: 22DEh

Bottom Device Code M29W640DB:

22DFh

December 2004

1/49

12 3 4 5 6 7...49

中文翻译

下载PDF

与M29W640DB70ZA6T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W640DB90N1	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N1E	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N1E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N6	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W640DB90N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6E	NUMONYX	获取价格	Flash, 4MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

与M29W640DB70ZA6T相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W640DB70ZA6T

M29W640DB70ZA6T 技术参数

M29W640DB70ZA6T 数据手册

与M29W640DB70ZA6T相关器件

与M29W640DB70ZA6T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W640DB70ZA6T

M29W640DB70ZA6T 技术参数

M29W640DB70ZA6T 数据手册

与M29W640DB70ZA6T相关器件

与M29W640DB70ZA6T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？