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M29W512GH7AN6E

更新时间： 2024-11-02 15:18:59
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
79页 1007K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory – Automotive Qualified

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M29W512GH7AN6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSOP-56
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.6
最长访问时间：80 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G56JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：56
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：2.7 V筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

M29W512GH7AN6E 数据手册

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512Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
M29W512GH70N3E, M29W512GH7AN6E  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first and last block regardless of block  
protection settings  
• Software protection  
Features  
• Stacked device (two 256Mb die)  
• Supply voltage  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
– VPPH = 12V for fast program (optional)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 8 words or 16 bytes  
– Page access: 25ns, 30ns  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
• Two extended memory blocks  
– 2 x 256 bytes (2 x 128 words) memory block for  
permanent, secure identification  
– Programmed or locked at the factory or by the  
customer  
• Common flash interface  
– 64-bit security code  
• Low power consumption: Standby and automatic  
modes  
• JESD47H-compliant  
– 100,000 minimum PROGRAM/ERASE cycles per  
block  
– Data retention: 20 years (TYP)  
• 65nm single-level cell (SLC) process technology  
• TSOP package  
• Green packages available  
– RoHS-compliant  
– Random access: 80ns, 90ns  
• Commands sensitive to MSB A24 (die selection)  
• Fast program commands: 32-word (64-byte) write  
buffer  
• Enhanced buffered program commands: 256-word  
• Program time  
– 16µs per byte/word TYP  
– Single die program time: 10s with VPPH, 16s with-  
out VPPH  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 512 main blocks (2 x 256),  
128KB or 64KW each  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM  
SUSPEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
– Halogen-free  
• Automotive device temperature (automotive grade  
certified):  
–40°C to +125°C (automotive grade 3)  
–40°C to +85°C (automotive grade 6)  
• Unlock bypass, block erase, die erase, write to buffer  
and program  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/die erase  
CCMTD-1725822587-9451  
m29w_512mb.pdf - Rev. F 5/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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与M29W512GH7AN6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W640D STMICROELECTRONICS

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 		FLASH NOR HIGH DENSITY & CONSUMER
M29W640DB STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB70N1E STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB70ZA1F STMICROELECTRONICS

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