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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W512B90K1T
M29W512B90K1T PDF预览

M29W512B90K1T

更新时间： 2024-01-29 05:50:18
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 141K
描述
512 Kbit 64Kb x8, Bulk Low Voltage Single Supply Flash Memory

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M29W512B90K1T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.55Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.995 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.56 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：11.455 mmBase Number Matches：1

M29W512B90K1T 数据手册

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M29W512B  
512 Kbit (64Kb x8, Bulk)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
■ SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte typical  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte Program algorithm  
– Embedded Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
TSOP32 (NZ)  
8 x 14mm  
PLCC32 (K)  
Figure 1. Logic Diagram  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 27h  
V
CC  
16  
8
A0-A15  
DQ0-DQ7  
W
E
M29W512B  
G
V
SS  
AI02743  
March 2000  
1/18  
1234567...18

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与M29W512B90K1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W512B90NZ1 STMICROELECTRONICS

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 		64KX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32
M29W512B90NZ1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		512 Kbit 64Kb x8, Bulk Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W512GH70N3E MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory – Automoti
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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory – Automoti
M29W640D STMICROELECTRONICS

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 		FLASH NOR HIGH DENSITY & CONSUMER
M29W640DB STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
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