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M29W400T-90N5RTR PDF预览

M29W400T-90N5RTR

更新时间： 2024-02-20 18:06:48
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
34页 246K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC

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M29W400T-90N5RTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.71Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：CONFG AS 256K X 16; TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-20 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W400T-90N5RTR 数据手册

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M29W400T  
M29W400B  
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)  
Low Voltage Single Supply Flash Memory  
NOT FOR NEW DESIGN  
M29W400T and M29W400Bare replaced  
respectivelyby the M29W400BT and  
M29W400BB  
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for  
44  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
FAST ACCESS TIME: 90ns  
FAST PROGRAMMING TIME  
1
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
SO44 (M)  
– 10µs by Byte / 16µs by Word typical  
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word  
– Status Register bits and Ready/BusyOutput  
MEMORY BLOCKS  
BGA  
– Boot Block (Top or Bottom location)  
– Parameter and Main blocks  
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE  
FBGA48 (ZA)  
8 x 6 solder balls  
MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY  
UNPROTECTION MODES  
ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Programanother Block during  
Erase Suspend  
Figure 1. Logic Diagram  
LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and AutomaticStand-by  
100,000PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
V
CC  
20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1ppm/year  
ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Device Code, M29W400T: 00EEh  
– Device Code, M29W400B: 00EFh  
18  
15  
A0-A17  
DQ0-DQ14  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
M29W400T  
M29W400B  
DESCRIPTION  
G
The M29W400 is a non-volatile memory that may  
be erasedelectrically at theblock or chip level and  
programmedin-systemon a Byte-by-ByteorWord-  
by-Wordbasisusing onlya single2.7Vto 3.6VVCC  
supply. For Program and Erase operations the  
necessary high voltages are generated internally.  
The device can also be programmed in standard  
programmers.  
RP  
V
SS  
AI02065  
The array matrix organisationallows each block to  
be erased and reprogrammed without affecting  
other blocks. Blocks can be protected againstpro-  
graming and erase on programming equipment,  
November 1999  
1/34  
This is informationon a product still in productionbut not recommendedfor new designs.  
1234567...34

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与M29W400T-90N5RTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W400T-90N5TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T-90N6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W400T-90N6R STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T-90N6RTR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,256KX16/512KX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
M29W400T-90N6TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T-90ZA1R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T-90ZA1TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T-90ZA5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256KX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA48, 0.80 MM PITCH, FBGA-48
M29W400T-90ZA5R STMICROELECTRONICS

获取价格

 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T-90ZA5TR STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

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