Datasheet > 存储 > 闪存> M29W400DB55N6

M29W400DB55N6

更新时间： 2024-11-09 05:27:27

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
48页	1025K
描述
4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

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M29W400DB55N6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.11	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

M29W400DB55N6 数据手册

M29W400DT

M29W400DB

4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block)

3 V supply Flash memory

Features

■ Supply voltage

– V = 2.7 V to 3.6 V for Program, Erase

and Read

(1)

SO44 (M)

■ Access time: 45, 55, 70 ns

■ Programming time

– 10 µs per byte/word typical

■ 11 memory blocks

– 1 boot block (top or bottom location)

– 2 parameter and 8 main blocks

TSOP48 (N)

12 x 20 mm

■ Program/Erase controller

FBGA

– Embedded byte/word program algorithms

■ Erase Suspend and Resume modes

– Read and Program another block during

Erase Suspend

(1)

TFBGA48 (ZA)

6 x 9 mm

■ Unlock bypass program command

– Faster production/batch programming

FBGA

■ Temporary block unprotection mode

■ Low power consumption

– Standby and Automatic Standby

TFBGA48 (ZE)

6 x 8 mm

■ 100,000 Program/Erase cycles per block

■ Electronic signature

– Manufacturer code: 0020h

1. These packages are no more in mass production.

– Top device code M29W400DT: 00EEh

– Bottom device code M29W400DB: 00EFh

– ECOPACK packages

December 2007

Rev 6

1/48

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...48

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W400DB55N6E	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55N6E	MICRON	获取价格	4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W400DB55N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55N6F	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55N6F	MICRON	获取价格	4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W400DB55N6T	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55ZA1	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55ZA1	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

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