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M29W400DB55N1T

更新时间： 2024-11-05 23:05:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
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4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29W400DB55N1T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,7
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29W400DB55N1T 数据手册

M29W400DT

M29W400DB

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

■ ACCESS TIME: 45, 55, 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 11 MEMORY BLOCKS

SO44 (M)

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 8 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

FBGA

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ LOW POWER CONSUMPTION

TFBGA48 (ZA)

6 x 9mm

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W400DT: 00EEh

– Bottom Device Code M29W400DB: 00EFh

February 2003

1/36

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W400DB55N3T	NUMONYX	获取价格	Flash, 256KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M29W400DB55N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55N6	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55N6E	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55N6E	MICRON	获取价格	4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W400DB55N6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55N6F	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55N6F	MICRON	获取价格	4Mb (512Kb x8 or 256Kb x16), 3V, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W400DB55N6T	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

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