Datasheet > 存储 > 闪存> M29W400DB55M1E

M29W400DB55M1E

更新时间： 2024-11-05 22:17:27

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
36页	328K
描述
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M29W400DB55M1E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	28.2 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	250	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.8 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

M29W400DB55M1E 数据手册

M29W400DT

M29W400DB

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and

Read

■ ACCESS TIME: 45, 55, 70ns

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs per Byte/Word typical

■ 11 MEMORY BLOCKS

SO44 (M)

– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)

– 2 Parameter and 8 Main Blocks

■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER

– Embedded Byte/Word Program algorithms

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

– Read and Program another Block during

Erase Suspend

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

– Faster Production/Batch Programming

FBGA

■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

■ LOW POWER CONSUMPTION

TFBGA48 (ZA)

6 x 9mm

– Standby and Automatic Standby

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 0020h

– Top Device Code M29W400DT: 00EEh

– Bottom Device Code M29W400DB: 00EFh

February 2003

1/36

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...36

中文翻译

下载PDF

与M29W400DB55M1E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29W400DB55M1F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55M1F	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55M1T	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55M6	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M6E	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55M6F	NUMONYX	获取价格	4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M6F	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

与M29W400DB55M1E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W400DB55M1E

M29W400DB55M1E 技术参数

M29W400DB55M1E 数据手册

与M29W400DB55M1E相关器件

与M29W400DB55M1E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M29W400DB55M1E

M29W400DB55M1E 技术参数

M29W400DB55M1E 数据手册

与M29W400DB55M1E相关器件

与M29W400DB55M1E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？