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M29W400DB45ZE6F

更新时间： 2024-11-06 05:27:27
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 1025K
描述
4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

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M29W400DB45ZE6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.2
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：8 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,7
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：6 mm
Base Number Matches：1

M29W400DB45ZE6F 数据手册

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M29W400DT  
M29W400DB  
4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block)  
3 V supply Flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for Program, Erase  
CC  
and Read  
(1)  
SO44 (M)  
■ Access time: 45, 55, 70 ns  
■ Programming time  
– 10 µs per byte/word typical  
■ 11 memory blocks  
– 1 boot block (top or bottom location)  
– 2 parameter and 8 main blocks  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
■ Program/Erase controller  
FBGA  
– Embedded byte/word program algorithms  
■ Erase Suspend and Resume modes  
– Read and Program another block during  
Erase Suspend  
(1)  
TFBGA48 (ZA)  
6 x 9 mm  
■ Unlock bypass program command  
– Faster production/batch programming  
FBGA  
■ Temporary block unprotection mode  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
1. These packages are no more in mass production.  
– Top device code M29W400DT: 00EEh  
– Bottom device code M29W400DB: 00EFh  
®
– ECOPACK packages  
December 2007  
Rev 6  
1/48  
www.numonyx.com  
1
1234567...48

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与M29W400DB45ZE6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W400DB45ZE6T STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB45ZE6T NUMONYX

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 		4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M1 STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55M1 NUMONYX

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 		4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W400DB55M1E NUMONYX

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M29W400DB55M1E STMICROELECTRONICS

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 		4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB55M1F STMICROELECTRONICS

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