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M29W320EB70ZE6F

更新时间： 2024-09-14 15:18:11
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
65页 1335K
描述
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M29W320EB70ZE6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,32针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.5
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：6 mmBase Number Matches：1

M29W320EB70ZE6F 数据手册

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M29W320ET  
M29W320EB  
32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block)  
3V supply Flash memory  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
„ Access times: 70, 90ns  
„ Programming time  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– 10μs per byte/word typical  
– Double word/ Quadruple byte Program  
BGA  
FBGA  
„ Memory Blocks  
– Memory Array: 63 Main Blocks  
– 8 Parameter Blocks (Top or Bottom  
Location)  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
FBGA64 (ZS)  
11 x 13 mm  
„ Erase Suspend and Resume modes  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
„ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
„ VPP/WP pin for fast Program and Write Protect  
„ Temporary Block Unprotection mode  
„ Common Flash Interface  
– 64 bit Security code  
„ Extended memory Block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
„ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
„ 100,000 Program/Erase cycles per block  
„ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top Device code M29W320ET: 2256h  
– Bottom Device code M29W320EB: 2257h  
„ RoHS® packages available  
May 2009  
Rev 9  
1/65  
www.numonyx.com  
1
1234567...65

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M29W320EB70ZE6F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29W320EB70ZE6E MICRON

完全替代

 Rev. 9
MX29LV320ABXBC-70G Macronix

功能相似

 32M-BIT [4M x 8 / 2M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
M29W320EB70ZE6F STMICROELECTRONICS

功能相似

 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

与M29W320EB70ZE6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W320EB70ZE6T NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB70ZE6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W320EB70ZS6E MICRON

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 		Rev. 9
M29W320EB70ZS6F MICRON

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 		Rev. 9
M29W320EB90N1 NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB90N1 STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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 		32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W320EB90N1E NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB90N1F NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB90N1F STMICROELECTRONICS

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