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M29W320EB70N6E

更新时间： 2024-03-03 10:08:42
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
65页 1335K
描述
Rev. 9

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M29W320EB70N6E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：7.58
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e4
长度：18.4 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29W320EB70N6E 数据手册

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M29W320ET  
M29W320EB  
32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block)  
3V supply Flash memory  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
Read  
– VPP =12V for Fast Program (optional)  
„ Access times: 70, 90ns  
„ Programming time  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
– 10μs per byte/word typical  
– Double word/ Quadruple byte Program  
BGA  
FBGA  
„ Memory Blocks  
– Memory Array: 63 Main Blocks  
– 8 Parameter Blocks (Top or Bottom  
Location)  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8 mm  
FBGA64 (ZS)  
11 x 13 mm  
„ Erase Suspend and Resume modes  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
„ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
„ VPP/WP pin for fast Program and Write Protect  
„ Temporary Block Unprotection mode  
„ Common Flash Interface  
– 64 bit Security code  
„ Extended memory Block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
„ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
„ 100,000 Program/Erase cycles per block  
„ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top Device code M29W320ET: 2256h  
– Bottom Device code M29W320EB: 2257h  
„ RoHS® packages available  
May 2009  
Rev 9  
1/65  
www.numonyx.com  
1
1234567...65

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M29W320EB70N6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
M29DW323DB70N6F MICRON

完全替代

 32Mb (4Mb x8 or 2Mb x16), 3V, Dual Bank 8:24, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29DW323DB70N6E MICRON

完全替代

 32Mb (4Mb x8 or 2Mb x16), 3V, Dual Bank 8:24, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29W320DB70N6E MICRON

完全替代

 Rev. 13

与M29W320EB70N6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W320EB70N6F NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB70N6F STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W320EB70N6F MICRON

获取价格

 		Rev. 9
M29W320EB70N6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W320EB70N6T NUMONYX

获取价格

 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB70ZA1 STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W320EB70ZA1E STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
M29W320EB70ZA1F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
M29W320EB70ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W320EB70ZE1 NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory

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