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Datasheet > 存储 > 闪存> M29W320EB70N6E
M29W320EB70N6E PDF预览

M29W320EB70N6E

更新时间： 2024-11-05 05:23:31
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
63页 1191K
描述
32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory

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M29W320EB70N6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.1Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

M29W320EB70N6E 数据手册

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M29W320ET  
M29W320EB  
32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block)  
3V supply Flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and  
CC  
Read  
– V =12V for Fast Program (optional)  
PP  
■ Access times: 70, 90ns  
■ Programming time  
– 10µs per byte/word typical  
– Double word/ Quadruple byte Program  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ Memory Blocks  
– Memory Array: 63 Main Blocks  
FBGA  
– 8 Parameter Blocks (Top or Bottom  
Location)  
■ Erase Suspend and Resume modes  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TFBGA48 (ZE)  
6 x 8mm  
■ Unlock Bypass Program command  
– Faster Production/Batch Programming  
■ V /WP pin for fast Program and Write Protect  
PP  
■ Temporary Block Unprotection mode  
■ Common Flash Interface  
– 64 bit Security code  
■ Extended memory Block  
– Extra block used as security block or to  
store additional information  
■ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 Program/Erase cycles per block  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0020h  
– Top Device code M29W320ET: 2256h  
– Bottom Device code M29W320EB: 2257h  
®
■ ECOPACK packages available  
March 2008  
Rev 6  
1/63  
www.numonyx.com  
1
1234567...63

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M29W320EB70N6E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29W320EB70N6F NUMONYX

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 		32 Mbit (4Mbx8 or 2Mbx16, Uniform Parameter Blocks, Boot Block) 3V supply Flash memory
M29W320EB70N6F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
M29W320EB70ZA1E STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 2MX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
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